В 1965 г. совместно с Б. В. Царенковым предложил метод жидкофазной эпитаксии в закрытой системе для создания p-n-структур на основе арсенида галлия и многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIBV включая четырёхкомпонентную систему InGaAsP.
Это позволило создать первый в СССР (1978) InGaAsP/InP–полупроводниковый лазер непрерывного действия при комнатной температуре на длину волны 1,3 мкм и приступить к практической реализации волоконно-оптических линий связи.
В начале 1980-х гг. инициировал исследования в области физики и технологии поведения редкоземельных элементов в процессе жидкофазной эпитаксии InGaAsP/InP, которые привели к обнаружению эффекта геттерирования лантаноидами фоновых остаточных примесей в растворе-расплаве In-Ga-As-P и к разработке технологии получения сверхчистого материала.Автор более 200 научных трудов, в том числе около 30 авторских свидетельств.Скончался 9 января 2016 года.
Карта сайта
